Godine 1976. Zumsteg et al. koristio je hidrotermalnu metodu za uzgoj rubidijum titanil fosfata (RbTiOPO₄, koji se naziva RTP) kristal. RTP kristal je ortorombski sistem, mmgrupa od 2 boda, P_{N / A21} svemirska grupa, ima sveobuhvatne prednosti velikog elektro-optičkog koeficijenta, visokog praga oštećenja svjetlosti, niske provodljivosti, širokog raspona prijenosa, nedelikventnog, niskog gubitka umetanja i može se koristiti za rad s visokom frekvencijom ponavljanja (do 100 kHz), itd. I neće biti sivih mrlja pod jakim laserskim zračenjem. Poslednjih godina postao je popularan materijal za pripremu elektro-optičkih Q-prekidača, posebno pogodan za laserske sisteme sa velikom stopom ponavljanja..

Sirovine RTP-a se raspadaju kada se otape i ne mogu se uzgajati konvencionalnim metodama izvlačenja taline. Obično se fluksovi koriste za smanjenje tačke topljenja. Zbog dodavanja velike količine fluksa u sirovine, on’Veoma je teško razviti RTP sa velikom veličinom i visokim kvalitetom. 1990. Wang Jiyang i drugi su koristili metodu samouslužnog fluksa da bi dobili bezbojni, potpuni i ujednačeni RTP monokristal od 15 mm×44 mm×34 mm, i sprovela sistematsku studiju o njegovom učinku. Godine 1992. Oseledchiket al. koristio je sličnu samouslužnu metodu fluksa za uzgoj RTP kristala veličine 30 mm×40 mm×60 mm i visok prag laserskog oštećenja. Godine 2002. Kannan et al. koristio malu količinu MoO₃ (0,002 mol%) kao fluks u metodi gornjeg sjemena za uzgoj visokokvalitetnih RTP kristala veličine oko 20 mm. Godine 2010. Roth i Tseitlin su koristili [100] i [010] sjeme u smjeru, respektivno, da uzgajaju RTP velike veličine koristeći metodu gornjeg sjemena.

U poređenju sa KTP kristalima čije su metode pripreme i elektrooptička svojstva slične, otpornost RTP kristala je 2 do 3 reda veličine veća (10⁸ Ω·cm), tako da se RTP kristali mogu koristiti kao EO Q-switching aplikacije bez problema s elektrolitičkim oštećenjem. 2008. Shaldinet al. koristio metodu gornjeg sjemena za uzgoj RTP kristala s jednom domenom otpornosti od oko 0,5×10¹² Ω·cm, što je vrlo korisno za EO Q-prekidače sa većim čistim otvorom blende. Zhou Haitao 2015et al. izvijestili su da RTP kristali s dužinom a-ose većom od 20 mm su uzgajane hidrotermalnom metodom, a otpornost je bila 10¹¹~10¹² Ω·cm. Pošto je RTP kristal biaksijalni kristal, razlikuje se od LN kristala i DKDP kristala kada se koristi kao EO Q-prekidač. Jedan RTP u paru mora biti rotiran za 90°u smjeru svjetlosti kako bi se kompenzirao prirodni dvolom. Ovaj dizajn ne samo da zahteva visoku optičku uniformnost samog kristala, već takođe zahteva da dužina dva kristala bude što je moguće bliža, kako bi se postigao veći omjer ekstinkcije Q-prekidača.

Kao odličan EO Q-prekidačing materijal sa visoka frekvencija ponavljanja, RTP kristals podložno ograničenju veličine što nije moguće za velike jasan otvor blende (maksimalni otvor komercijalnih proizvoda je samo 6 mm). Dakle, priprema RTP kristala sa velike veličine i visokog kvaliteta kao i na podudaranje tehnika of RTP parovi još uvek treba velika količina istraživački rad.